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东芝首发UFS 3.0内存芯片性能炸裂,读写速度2.9GB/s堪称碾压

2019-01-29 10:20:58

蚂蚁芯城一站式电子元器件采购服务平台为您解读:东芝首发UFS 3.0内存芯片性能炸裂,读写速度2.9GB/s堪称碾压

不久前,有一张1TB UFS 3.0闪存的Androbench测试图曝光,可以看到它的顺序读写速度非常高,基本比肩高端的固态硬盘。

1月23日,东芝内存公司(Toshiba Memory Corporation)正式宣布已经对业界首款UFS 3.0闪存进行采样。新产品采用了该公司最先进的96层BiCS FLASH 3D闪存,共有128GB、256GB和512GB 版本三种容量可供选择。

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这三款闪存芯片均符合了JEDEC UFS 3.0标准和HS-GEAR4标准,其理论接口速度高达每通道每秒11.6千兆位,在双通道下可以实现23.2Gbps(2.9GB/s)带宽,同时减少了所需功耗。与上一代闪存相比,512GB版本的顺序读写性能分别提高了约70%和80%。

随着处理器性能的不断提升,东芝领跑三星、西部数据、SK海力士、美光等,首发UFS 3.0,将成为下一代高端旗舰智能机的亮点。东芝宣布量产UFS3.0产品,其有望成为第一家在智能手机中商用UFS 3.0闪存的厂商。

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