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国产芯片面临强大压力,美国有科研机构完成1nm芯片制造

2019-01-10 14:16:55

蚂蚁芯城一站式电子元器件采购服务平台为您解读:国产芯片面临强大压力,美国有科研机构完成1nm芯片制造!

发展国产芯片是14亿中国老百姓的共同心愿,它承载了中国科技复兴的梦想。中国近代全面落后西方国家。经过近百年的发展,我们科技水平极大提升,只有少数尖端领域没有取得突破,半导体芯片就是如此。中国的芯片科技人员有着很大压力,在大洋彼岸的美国,已经有科研机构完成了芯片1nm工艺制造。

可能有朋友会惊讶,目前台积电制造的7nm芯片为全球量产制造最高水平,比利时微电子设计的3nm芯片为全球集成设计最高水平,美国突然冒出来1nm芯片,这究竟是噱头,还是确有其事?很多人在怀疑。然而,事实是真的,不过这个1nm芯片比较特别,它不是光刻技术制造的芯片,而是采用电子束印刷工艺。

也就是说,美国人用传统老技术做出了1nm芯片,但从整体实力而言,还是不能跟光刻技术芯片相提并论,目前只能停留在实验室水平。虽然听着比较厉害,但并不是第一次,劳伦斯伯克利国家实验室也宣布过1nm工艺,他们使用的是纳米碳管和二硫化钼等新材料。也就是说,美国人在芯片新材料方面取得了突破。

碳纳米管是一种具有特殊结构的一维材料,它和和石墨烯在电学和力学等方面有着相似的性质,我们目前世界上的半导体材料大都以硅材料为主。也就是说,目前在半导体硅晶上做出7nm芯片已经逼近了物理极限,要做出1nm芯片就只能彻底更换基础材料,这就需要“技术革命”。

这些都只是处在实验室萌芽状态,不能量产,也不能走向商业化,但仍然有研究意义,很多人认为,当前的光技术已经逼近了半导体摩尔极限,格罗方德、联电、英特尔都放缓了先进工艺的研发计划,只有台积电和三星还在继续埋头搞。

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